在9月27日的新闻中，技术媒体TechSpot昨天（9月26日）发表了一篇博客文章，该文章已被批准为新专利，称为“高级乐队Memical Momical Module Architecture”，该专利旨在解决面临DDR5内存的性能瓶颈。这种创新的设计将6.4 Gbps内存总线的传输速度翻了一番，达到12.8 Gbps，从而降低了延迟并提高了信号完整性。他引用了一篇博客文章，并介绍了该专利使用高带宽（HB-DIMM）的在线双记忆模块解决方案（HB-DIMM）来实现绩效改进，而无需更改现有戏剧芯片的基础。具体来说，这种设计不是DRAM芯片的重建，而是多个DRAM设备和高级数据存储芯片的组合。 Banda高宽度（HB-DIMM）上的双存储模块方案的图表以这种方式表明，缓冲芯片可以有效地处理信号流，将产量的产量增加两倍，并最终从6.4增加GBPS标准电流为12.8 Gbps，实现了性能的增长。该体系结构的核心是一个注册时钟控制器电路，该电路使用芯片标识符位来解码命令和内存路由。通过这种方式，模块可以独立地将任务分配给“伪卡纳尔”（伪卡纳尔），从而允许真正的并行访问，并有效地打破了由传统的顺序访问模式引起的数据性能限制。这代表了如何实现记忆的访问，并感受到提高系统总体效率的基础。 HB-DIMM内存体系结构此外，该系统在手表和信号的管理中提供了两种操作模式，即1N和2N，这有助于优化时间并确保信号的完整性。 AMD还使用简化的非 – 室间传输格式，取代了交错的传统配置。这进一步降低了数据库潜伏期的动作DESTI内德这样做。同时，该设计具有在伪卡纳尔模式和四元配置之间进行更改的能力，从而使其能够灵活地适应复杂的场景，例如具有严格的性能和灵活性要求的高性能计算。
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6.4→12.8 Gbps！ AMD提出了HB